Samsung na konferenci Future of Memory and Storage (FMS) 2026 představil tři nové paměťové technologie pro AI i běžné aplikace. Spojuje je wafer bonding, tedy spojování paměťových vrstev přímo s logickými čipy. zHBM je vize ultra-výkonné paměti HBM, která bude sedět přímo na logických čipech a obejde tak drahé interposery. zNAND-O umožní umístit čtyři až osm vrstev NAND na logické čipy, zvýší propustnost a sníží latenci. Podle Samsungu se hodí pro edge AI systémy s real-time inferencí. BV-NAND je nová značka pro desátou generaci V-NAND, která spojuje NAND pole s I/O a logickou vrstvou a zvyšuje rychlost přenosu. U zHBM firma zatím neprozradila časový plán, technologie má konkurovat pamětem HBM5.
